Samsung Electronics ha annunciato il completamento della fase di sviluppo dei primi chip di memoria DRAM di tipo LPDDR5X in grado di lavorare con un transfer rate che può raggiungere un valore pari a 10.7Gbps.

In accordo al comunicato stampa pubblicato da Samsung, i nuovi chip sono fabbricati con un nodo a 12nm e sono destinati a rendere possibile l'equipaggiamento dei dispositivi mobile con un quantitativo di memoria RAM che può raggiungere anche i 32GB.

I punti di forza dei nuovi chip di memoria DRMA LPDDR5X di Samsung non coincidono soltanto con prestazioni (25%) e capacità (30%) superiori rispetto alla generazione precedente ma anche con una efficienza energetica superiore (25%).

Questo consente di produrre dispositivi mobile caratterizzati da una maggiore durata della batteria, da un lato, e di realizzare data center per applicazioni AI (ambito per il quale Samsung ha ottimizzato i nuovi chip di LPDDR5X) che minimizzano il TCO (Total Cost of Ownership) in virtù del minor consumo energetico.

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